我国科学家初次完成8英寸硅基氮化镓衬底打破带来无线能量新纪元

  近来，九峰山实验室在氮化镓（GaN）资料的研讨范畴取得了令人瞩目的效果，提醒了我国科技自傲的绚丽新篇章。该实验室经过其官方大众号披露了多个重磅科研效果，其间不乏全球创始的8英寸硅基氮极性氮化镓衬底（N-polar GaNOI）和全国首个100nm高功能氮化镓流片PDK渠道，此外，还成功进行了一项20米远距离动态无人终端的无线能量传输演示，展现出巨大的使用潜力。

  氮化镓，作为第三代半导体资料的杰出代表，以其杰出的物理特性在很多高科技范畴引领革新。无论是细巧高效的GaN充电器仍是卫星通信、雷达与导航系统，氮化镓的使用场景都在持续扩展。九峰山实验室的最新效果不只打破了世界技术壁垒，更为商业化出产供给了新的可能性。经过初次在8英寸硅基衬底上研制出高电子迁移率的氮极性氮化镓资料，科学家们显着提升了在高频，高功率器材的功能，且降低了出产成本。

  与此同时，九峰山实验室推出的100nm硅基氮化镓商用工艺规划套件（PDK）也具有里程碑式的含义。作为国内首个此类渠道，该PDK为芯片规划者供给了要害工艺参数、器材模型和规划规矩，极大地加快了从电路规划到实践制作的转化。其核心技术长处是跨代际开展、高功能与低成本，可以很好的满意毫米波频段的广泛使用需求。