4月16日,美国仅有一家专门从事传感器、电源和高压半导体代工厂商Polar Semiconductor(“Polar”)宣告,已与瑞萨电子株式公司(简称“瑞萨电子”)敲定一项战略协议,授权其硅基氮化镓 D 型 (GaN-on-Si) 技能。
作为该协议的一部分,Polar 将在其坐落明尼苏达州的 200 毫米车规级大批量制作工厂为瑞萨电子和其他客户制作高压 650V 级硅基氮化镓器材。该工厂最近扩建了最先进的加工和自动化设备,旨在满意对下一代半导体解决方案日渐增加的需求。
Polar和瑞萨电子将一起扩展GaN器材的商业出产规模,扩展其在要害职业的运用,包含轿车、数据中心、顾客、工业和航空航天和国防商场。该协议保证美国具有牢靠的国内来历来获取这种顶级半导体技能。
通过本钱功率和扩展到 200 毫米制作完成的立异器材架构,将加快 GaN 技能的商场选用。通过使用 Polar 的制作专业相关常识和瑞萨电子老练的功率半导体技能和商业领头羊,这种战略协作可保证客户安全供给具有本钱竞争力、杰出质量和高性能的 GaN 器材晶圆。
Polar Semiconductor 总裁兼首席运营官 Surya Iyer 表明:“这项答应和商业出产协议强调了咱们对加强国内半导体ECO的许诺。GaN 是电源和射频范畴改动游戏规则的技能,与瑞萨电子协作,咱们有才能进步商业出产,保证要害防护方案的安全,并推进下一波半导体立异。”
瑞萨电子电源产品集团高档副总裁兼总经理Chris Allexandre说:“咱们很快乐与Polar协作,将咱们通过验证的氮化镓技能扩展到200毫米晶圆,并在广泛的电源转化商场中使用咱们的专业相关常识,从基础设施和人工智能到动力和工业到电动轿车和电动轿车到高价值物联网。此次协作保证了强壮的美国 GaN 产品制作才能,为咱们的客户供给多源收购,并满意对高性能电源解决方案日渐增加的需求。”
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