金融界2024年11月4日音讯，国家知识产权局信息数据显现，江西兆驰半导体有限公司请求一项名为“发光二极管外延片及其制备办法、LED”的专利，公开号CN 118888656 A，请求日期为2024年7月。
专利摘要显现，本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备办法、LED，所述发光二极管外延片包含衬底，所述衬底上顺次设有缓冲层、三维成核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述三维成核层包含顺次堆积在所述缓冲层上的榜首AlGaN层、Si掺杂三维GaN层、第二AlGaN层和三维GaN兼并层。本发明供给的发光二极管外延片调控GaN外延层的晶体质量，调控V‑pits密度，下降量子阱非辐射复合功率，提高发光二极管的发光功率。
鄂公网安备