4、 抱负MIS结构不考虑功函数差、氧化层电荷和界面态,半导体外表 强反型时对应的外加电压叫做抱负MOS结构的敞开电压。
6、固定电荷带正电,半导体外表能带下曲折,C-V沿负电压方向平移,考虑功
假定固定外表电荷分布与氧化层厚度无关,则对不同氧化层厚度 d 01 , d 02
第八章 半导体外表与金属-绝缘体-半导体(MIS结构) 1、 P型硅衬底,MOS结构外表本征时,外表处费米能级等于禁带中心, 外表处电子浓度等于空穴浓度,
10、 “半导体物理学”学习教导与典型题解,田敬民 张声良编, PP160,例8-14