半导体技术导论智慧树知到章节答案期末题库2024年南京理工大学docx
半导体技术导论智慧树知到章节答案期末题库2024年南京理工大学1.现代电子器件大多是基于半导体材料制备的?答案:对2.温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为()?答案:1/23.p型硅掺杂V族元素,n型硅掺杂III族元素。答案:错4.从能级角度上看,导体就是禁带宽度很小的半导体。答案:错5.半导体的电导率一般要大于绝缘体的电导率。答案:对6.通常来说,晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。答案:错7.半导体中电流由电子电流和空穴电流构成。答案:对8.以能带隙种类区分,硅属于直接能带隙半导体。答案:错9.通常对于同种半导体材料,掺杂浓度越高,载子迁移率越低。答案:对10.以下哪种结构不是固体常见的微观结构类型?答案:结晶体11.在半导体中的空穴流动就是电子流动。答案:错12.n型增强型MOSFET的基底是n型半导体。答案:错13.BJT可用于恒定电流源的设计。答案:对14.pn结加反偏压时,总电流为0。答案:错15.通常情况下,pn结p区和n区的半导体材料不相同。答案:错16.MOSFET的饱和漏极电流的大小是由漏极电压决定的。答案:错17.欧姆接触也称为整流接触。答案:错18.平衡状态下pn结的能带图中,p区和n区的费米能级是分开的。答案:错19.MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。答案:错20.通常,超晶格结构是基于异质结设计的。答案:对21.金属与n型半导体接触形成欧姆接触,此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。答案:错22.光探测器设计的标准是:半导体材料的禁带宽度只要高于被探测光能量即可。答案:错23.以下哪种LED量产最晚?答案:蓝光LED24.半导体激光器中没有谐振腔结构。答案:错25.太阳能电池上表面的电极会遮挡电池吸收的阳光。答案:对26.对于同种半导体材料,通常PIN型光探测器的灵敏度要高于APD光探测器。答案:错27.以下几种太阳能电池中,效率最高的是()?答案:GaAs太阳能电池28.太阳能电池能吸收太阳光的所有能量。答案:错29.半导体光探测器本质是一个pn结,这类器件工作在pn结电流电压特性曲线的第()象限?答案:III30.LED的寿命通常比白炽灯长。答案:对31.Voc是指短路电压。答案:错32.早期的半导体公司大多成立于美国的硅谷。答案:对33.目前半导体产业分工越来越细,主要是由于技术越来越复杂,产品需求量慢慢的变大。答案:对34.在CMOS工艺中,一般会用对光刻胶曝光显影来实现所设计结构的图案制备。答案:对35.目前量产的半导体器件节点尺寸是()?答案:5nm36.半导体产业涉及的知识领域主要是物理学和材料学,与化学无关。答案:错37.半导体代工厂中主要进行集成电路设计。答案:错38.摩尔定律是指集成电路的集成度每12个月提升一倍。答案:错39.以下半导体产线上最昂贵的设备是()?答案:曝光显影机40.逻辑电路的基本元件是MOS管。答案:对41.利用液封直拉法得到的晶锭可以直接切割成晶片。答案:错42.12英寸硅晶片是指硅晶片的()是12英寸。答案:直径43.以下哪种不属于化学气相沉积法答案:DPCVD44.化学气相沉积法和物理气相沉积法最主要的不同之处在于前者需要在真空环境下进行。答案:错45.化学气相沉积法的反应原料是气体,反应物是固体,副产物也可以是固体答案:错46.利用氢氟酸蚀刻SiO2薄膜具有各向异性。答案:错47.利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中,掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。答案:对48.通过扩散方式掺杂对杂质浓度和掺杂深度的控制精度比通过离子注入的方式掺杂要高。答案:错49.以下哪种材料无法通过分子束外延生长法制备?答案:IGZO50.业界常用SIMS作为半导体掺杂浓度分布的检测方式。答案:对51.表面不导电的样品无法用SEM进行观测。答案:错52.EDX通常是加装在SEM中配合使用的。答案:对53.以下常用来检测样品表面晶体结构的方法是()?答案:XRD54.SEM观测的主要原理是搜集入射电子激发的二次电子进行逐点成像的。答案:对55.AFM可观测样品内部形貌特征。答案:错56.通常TEM观测的分辨率要高于SEM。答案:对57.TEM可观测厚度1微米以上的样品。答案:错58.以下哪种检测方式不涉及X射线.AFM的探针针尖与样品表面非间接接触,所以测量时会损伤样品。答案:错60.硅的费米能级被电子占据的几率在300K时是1/2。硅工艺中进行掺杂的两种常用工艺是扩散和离子注入。答案:对61.通过负光刻胶定义的图形与所需要制备的图形相反。答案:对62.在化学气象沉积中,反应原料可以是固体。答案:错63.光电探测器的灵敏度主要根据其暗电流的大小。答案:对64.pn结平衡状态下,器件内空穴总电流和电子总电流均为0答案:对65.异质结两端半导体材料的禁带宽度可以相同。答案:错66.III-V族化合物可通过MBE沉积。答案:对67.半导体的禁带宽度通常大于导体的禁带宽度。答案:对68.在锗中掺入硼元素,能改变空穴浓度,同时,电子浓度也发生明显的变化。答案:对69.通常来说,光探测器的灵敏度越高,响应时间也就越短。答案:错70.光探测器在pn结电流电压特性曲线中的工作区间与太阳能电池相同。答案:错71.离子注入法掺杂工艺通常无法精确控制掺杂浓度。答案:错72.目前我国半导体制造工艺主要受制于EUV光刻机。提高光刻最小线宽还能够最终靠提升介质的介电常数实现。()答案:对73.pn结处于偏压状态下时,载流子的扩散电流和漂移电流不再平衡。答案:对74.p型半导体中载流子既有电子也有空穴,只是浓度不同。答案:对75.半导体电导率通常低于导体。答案:对76.单晶硅和多晶硅的电学性能相同。答案:错77.pn结处于反偏状态下时,载流子扩散电流不变,漂移电流变小。答案:错78.共价键的键结能通常大于离子键的键结能。答案:对79.MOSFET开关的基本工作原理是通过栅极电压来控制源极和漏极之间的导电沟道的通断。答案:对80.温度越高,扩散速度越快。答案:对81.[100]晶向和[010]晶向是等效的。 答案:对 82. 晶体的重要特征是均匀性,所以晶体一般都是各向同性的。 答案:错 83. 面心立方晶体在(100)晶面上有4 个角原子,1 个中心原子。 答案:对 84. 半导体材料没有非晶体形态。 答案:错 85. 通常晶体的晶格常数越大,其带隙宽度也越大。 答案:错 86. TEM观测与SEM相同,对样品厚度没有要求。 答案:错 87. MOSFET的沟道处于导通状态时,源漏极电压与漏极电流无关。 答案:错 88. 半导体材料中,导带电子与价带空穴复合时释放出光能,其能量可以小于禁 带宽度。 答案:错 89. 目前我国半导体制造工艺主要受制于EUV光刻机。利用EUV光源进行光刻相 较于普通UV能够获得更高的光刻精度,主要因为EUV的能量更小。 ( ) 答案:错 90. 摩尔定律认为:每12 个月左右,集成电路的集成度将提升1 倍,相应的价 格下降一半。 答案:错 91. 通常来说,半导体材料中载流子浓度越高,电导率越低。 答案:错 92. 导体的价带和导带都是重叠的。 答案:错 93. 半导体材料的载流子浓度与态密度有关。 答案:对 94. 集成电路中只能制造二极管和三极管,而无法制造电阻。 答案:错 95. 半导体电导率通常低于绝缘体。 答案:错 96. CCD只能分辨光的有无,而无法分辨光的强弱。 答案:错 97. 半导体材料通过掺杂能改变其电导率。 答案:对 98. MBE只能用于I I I - V族化合物的生长。 答案:错 99. 答案:错 100. 超晶格结构通常以( )为基本结构单元。 答案:异质结 101. 为解决当前高端芯片制造“卡脖子”问题,需全力发展高精度光刻技 术。光刻技术中的反刻工艺,通常应用于( )的情况。 答案:光刻的材料难以腐蚀 102. MOSFET的饱和漏极电流由( )电压决定。 答案:源极 103. 正常的情况下,以下沉积方式中腔体气压最低的是: 答案:MBE 104. 当pn 结作为光电二极管使用时,经常加反向偏置作为电流源,这时 它工作在I - V曲线的第__象限。 答案:三 105. 如下图所示的能带结构,代表的是___半导体。――――――――EC_ _______EF――――――――EV 答案:n 型 106. 栅极电压VG、漏极电压VD、阈值电压VT三者处于以下何种关系 时,FET的沟道处于截止状态? 答案: 107. 在CMOS工艺中,最为昂贵的步骤是: 答案:光刻 108. 以下技术除了____以外都是半导体常用的形貌表征技术。 答案:XRD 109. 以下哪个参数无法通过霍尔测量测得? 答案:半导体禁带宽度 110. 太阳能电池工作在pn 结电流电压特性曲线的第( )象限 答案:IV 111. GaAs 晶体是_______结构。 答案:闪锌矿 112. 南京t smc 工艺技术节点为: 答案:12 nm 113. 有A和B两种单质晶体,我们大家都知道A的晶格常数是4Å,带隙是 1.2eV,B的晶格常数是5Å,其带隙有很大的可能是___ __eV。 答案:1 114. 以下晶体硅生长过程中的产物中哪种是单晶体? 答案:晶锭 115. 一般说的14nm工艺线指的是MOSFET中的________达到了14nm量 级。 答案:栅极宽度 116. 硅晶体中的费米能级向高能级移动,可能对应以下情况出现 答案:导带电子浓度增加 117. 以下器件中哪种不属于光电半导体器件范畴? 答案:pn 结 118. 生产单晶硅晶圆的原材料是: 答案:石英砂 119. 以下著名半导体厂商,______目前是晶圆代工模式的代表厂商。 答案:TSMC 120. 半导体材料中的价带电子通过一定能量的激发可以从价带跃迁到导 带。 答案:对 121. 半导体的禁带宽度通常大于绝缘体的禁带宽度。 答案:错 122. 导体实际上的意思就是禁带宽度比较小的半导体。 答案:错 123. 太阳能电池能吸收太阳光谱中所有高于半导体禁带宽度的能量。 答案:对 124. 硅是间接带隙半导体材料。 答案:对 125. 增强型场效应晶体管在栅极不加偏压时,沟道处于导通状态。 答案:错 126. {1 1 1}晶面族不包含(1 - 1 - 1)晶面。 答案:错 127. 采用SOI 技术最大的优势是能够大大减少反向漏电流。 答案:对 128. 答案:对 129. 半导体材料的载流子浓度与温度有关。 答案:对 130. 硅是直接能带隙材料。 答案:错 131. 自然界中一种物质只能有一种晶体形态。 答案:错 132. n 型半导体中载流子只有电子没有空穴。 答案:错 133. 载流子迁移率与温度成正比。 答案:对 134. 扩散法掺杂工艺通常是在高温下进行,温度变化速度对掺杂效果没有 影响。 答案:错 135. 金刚石结构和闪锌矿结构最主要的差别在于晶格中原子排列顺序不 同。 答案:错 136. 离子注入法掺杂工艺通常无法精确控制掺杂区域。 答案:错 137. PIN型光探测器通常灵敏度要高于APD光探测器。 答案:错 138. 肖特基接触也称之为整流接触。 答案:对 139. 发光半导体材料的禁带宽度与发光颜色有关。 答案:对 140. 硅是直接带隙半导体。 答案:错 141. 半导体材料中,施主能级通常接近导带底。 答案:对 142. 本征半导体中电子和空穴的载流子浓度不同。 答案:错 143. 本征半导体的电导率通常小于掺杂后的半导体电导率。 答案:对 144. 作为放大器使用的BJT一般会用共基极接入电路。 答案:错 145. 光刻技术中的反刻工艺也称之为剥离工艺。 答案:对 146. 体心立方结构可由简单立方结构组合而成。 答案:错 147. 室温下绝缘体中价带电子无法从价带跃迁至导带。 答案:错 148. pn 结的接触电势差与下列哪个参数无关? 答案:载流子迁移率 149. 硅晶体是_______晶体结构。 答案:金刚石 150. 激光工作的基础原理是基于:
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