第一次作业 某光源宣布波长为460nm 的单色光,辐射功率为100W ,用Y 值表明其光通量, 核算其色度坐标X 、Y 、Z、x、y 。 解:由教材表 1-3 查得 460nm 单色光的三色视觉值分别为X 0.2908 , Y 0.0600 ,Z 1.6692 ,则对P 100W ,有 X K PX 4 683 100 0.2908 1.986 10 lm × × =× m Y K PY 3 683 100 0.0600 4.098 10 lm × × =× m Z K PZ 5 683 100 1.6692 1.140 10 lm × × =× m 以及 x X (X =+Y +Z ) 0.144 y Y (X =+Y +Z ) 0.030 第2次作业 1. GaP 绿色LED 的发光机理是什么,当氮掺杂浓度添加时,光谱有什么改动, 为什么?GaP 赤色LED 的发光机理是什么,发光峰值波长是多少? 答:GaP 绿色LED 的发光机理是在GaP 直接跃迁型半导体中掺入等电子圈套杂 质N ,替代P 原子的N 原子可以抓获电子,又靠该电子的电荷抓获空穴,构成 捆绑激子,激子复合发光。当氮掺杂浓度添加时,总光通量添加,主波长向长波 移动,是因为此刻有很多的氮对构成新的等电子圈套,氮对捆绑激子发光峰增 加,且向长波移动。 GaP 赤色LED 的发光机理是在GaP 晶体中掺入ZnO 对等电子圈套,其发光 峰值波长为700nm 的红光。 2. 液相外延成长的原理是什么?大体上分为哪两种办法,这两种办法的差异在哪 里? 答:液相外延成长进程的根底是在液体溶剂中溶质的溶解度随温度下降而削减, 并且冷却与单晶相触摸的初始饱和溶液时可以引起外延堆积,在衬底上成长一个 薄的外延层。 液相外延成长大体上分为降温法和温度梯度法两种。降温法的瞬态成长中,溶 液与衬底组成的系统在均处于同一温度,并一起降温(在衬底与溶液触摸时的时 间和温度上,以及触摸后是持续降温仍是坚持温度上,不同的技能有不同的处 理)。而温度梯度法则是当系统到达安稳状况后,整个系统的温度再不改动,而 是在溶液外表和溶液-衬底界面间树立安稳的温度梯度和浓度梯度。 3. 为何AlGaInP 资料不可以运用一般的气相外延和液相外延技能来制作? 答:在尝试用液相外延成长AlGaInP 时,因为AlP 和InP 的热力学安稳性的不同, 液相外延的组分操控好不容易。而当运用氢化物或氯化物气相外延时,会构成稳 定的AlCl 化合物,会在气相外延时阻止含Al 磷化物的成功成长。因而AlGaInP 资料不可以运用一般的气相外延和液相外延技能来制作。
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