北方集成电路技能创新中心(北京)有限公司请求锗硅异质结双极晶体管及其制作办法专利有用改进器材功能

  

北方集成电路技能创新中心(北京)有限公司请求锗硅异质结双极晶体管及其制作办法专利有用改进器材功能

  金融界2024年10月31日音讯,国家知识产权局信息数据显现,北方集成电路技能创新中心(北京)有限公司请求一项名为“一种锗硅异质结双极晶体管及其制作办法”的专利,公开号CN 118841442 A,请求日期为2024年8月。

  专利摘要显现,本请求公开了一种锗硅异质结双极晶体管及其制作办法,触及半导体技能范畴,特别触及半导体器材及集成电路工艺规划和制作范畴。本请求供给的锗硅异质结双极晶体管及其制作办法,可以使锗硅异质结双极晶体管显露多晶硅外基区部分侧壁然后为后续与锗硅外延内基区同步成长的锗硅衔接基区腾出必要空间,并完成可以有用改进器材功能的洼陷锗硅衔接基区或许洼陷多晶硅外基区结构,且本请求供给的锗硅异质结双极晶体管可以运用工艺难度和复杂度比较来说较低的工艺过程制作,规避了现存技能中选用的很难操控的使用底部狭缝“掏底”各向同性腐蚀氮化硅侧墙的工艺过程,然后可以有用改进相关集成电路工艺出产的重复性、均匀性、可控性以及可出产性。



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