AFM:亮光高效钙钛矿发光二极管的VA组掺杂ZnO注入层

  

AFM:亮光高效钙钛矿发光二极管的VA组掺杂ZnO注入层

  杂原子掺杂ZnO电子注入层(EIL)被大范围的使用于高性能量子点和钙钛矿发光二极管(PeLEDs)的制备,而va族原子掺杂剂的研讨较少。

  在这里,北京大学Yongqiang Ji和利亚德光电有限公司Changjun Lu等人将具有强金属性的VA铋(Bi)作为代替掺杂剂来调理ZnO前驱体的胶体巨细,外表结尾和缺点密度。作为制备的bi掺杂ZnO (ZnBiO) EIL显现了增强的电导率,钝化的圈套状况,更多的n型性质,以及与FAPbI3 (FA: formamidinium)的恰当带对齐,有助于滑润的注入途径和最小的传输丢失。

  经过按捺ZnBiO的羟基停止,FAPbI3晶体生长成具有更高结晶度和面积厚度比的扁平纳米柱结构域,获得了22.3%的最高PeLED功率,684 W sr−1 m−2的高近红外辐射,以及近一个数量级的运转稳定性,这显现了ZnBiO作为经典ZnMgO之外的各种LED使用场景的最佳EIL的巨大远景。

  为加强科研协作,咱们为海内外科研人员专门开通了钙钛矿科创协作专业科研沟通微信群。加微信群方法:增加修改微信pvalley2024、pvalley2019,补白:名字-单位-研讨方向(无补白请恕不经过),由修改审阅后邀请入群。



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