长晶科技杰出FST 30 IGBT渠道模块赋能光伏储能范畴

  跟着全球动力转型的加快，光伏发电与储能体系已成为构建新式电力体系的要害。作为电力电子体系的 “中心心脏” 与 “智能开关”，功率IGBT模块的功能直接决议了总体系的功率、牢靠性及归纳本钱。

  长晶科技根据FST G3.0工艺渠道推出IGBT半桥模块，优化器材在导通损耗和开关损耗体现的归纳功能，保证恶劣环境下的运转牢靠性，为光伏逆变器、PCS 等运用场景供给高功率、强安稳性的中心技术支撑。

  长晶科技推出的1200V IGBT半桥模块系列，包括450A、600A与900A三种电流标准，搭载自主研制的FST 3.0 IGBT芯片，具有高功率密度、低损耗及高牢靠性的特色，可全方面掩盖光伏储能体系需求。

  一起长晶科技与国内头部驱动厂商协作推出按产品参数特性定制的驱动板，可供给合作调试支撑服务。

  ◆ 针对开关特性，经过优化栅电荷（Qg），完成了开关应力与损耗之间的平衡，提高不同栅极驱动规划的兼容性，并减轻散热体系接受的压力。

  ◆ 针对通态功能，产品在高温下体现出明显的低VCE(sat)，在体系运转时转化为更低的导通损耗。

  ◆ 归纳芯片选用条件，体现出更低的FOM值（界说见下图），功能优异一起兼具本钱优势。

  长晶科技FST 3.0 IGBT运用先进的微沟槽栅（1.6μm Pitch）场截止结构，发射极功率优化，有用提高了功率密度。

  同测验渠道条件下，VCE(sat)根本到达世界干流友商第七代产品优异水平，高电流900A产品MCF900N120T3E3较竞品饱满压降下降5%~6%，完成高温体系下优异的通态损耗功能。

  根据同渠道双脉冲测验得到TJ=150℃时的关断损耗Eoff，成果如下图所示。

  长晶FST 3.0 IGBT在高温条件下完成了开关应力与关断损耗之间的平衡，这一特性保证了模块在光伏储能体系特定工况下的运转功率与长时间安稳性。

  长晶科技将致力于高效功率模块的研制与立异，继续推进电力电子体系朝着更小尺度、更高功率、更牢靠安稳且更具本钱竞争力的方向一直在晋级！回来搜狐，检查更加多