2026年7月8日，2025年度国家科学技术奖励大会在北京召开，南昌大学江风益院士牵头完成的V缺陷三维PN结及应用项目斩获国家自然科学奖一等奖。至此，我国半导体照明领域集齐国家自然科学奖、国家技术发明奖、国家科技进步奖三大奖一等奖，成为国内极少数实现三大国奖一等奖全覆盖的战略性产业赛道，标志着我国半导体照明基础理论、核心芯片、产业化全链条创造新兴事物的能力全面登顶国际前沿。
国家自然科学奖聚焦基础原始创新，是衡量领域基础科研硬实力的最高标尺。南昌大学江风益团队深耕硅基氮化镓LED三十余年，颠覆全球行业固有认知，完成了里程碑式基础理论创新。成果打破“氮化镓量子阱位错缺陷越少越好”的传统定论，原创V缺陷三维PN结完整理论体系：将传统二维平面PN界面升级为三维立体结构，打通低势垒空穴注入通道，大幅度的提高了蓝、绿、黄、红光LED量子效率，其中硅基黄光LED光效大幅超越海外公开技术水平。该原创理论现在已经成为全球光电行业通用底层技术，海内外头部LED企业均落地应用。本成果从基础机理层面补齐我国半导体照明原始创新短板，支撑无荧光粉纯芯片照明、全色系光电器件研发，为Micro-LED、紫外LED、特种光源等前沿赛道提供核心理论支撑，持续牵引全产业技术迭代升级。
早在2015年，南昌大学江风益团队硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管项目斩获当年唯一国家技术发明一等奖。彼时全球蓝光LED仅蓝宝石、碳化硅两条国外垄断衬底路线。江风益团队历时十多年攻坚，自主开辟硅衬底第三条技术路线，攻克硅衬底上高质量氮化镓外延材料生长世界级难题，构建完整自主专利池，打破日美核心专利封锁，让我国成为全世界第三个掌握蓝光LED完整自主知识产权的国家。成果孵化晶能光电等有突出贡献的公司，实现硅基LED芯片规模化量产，完成从实验室技术到商业化产品的跨越。
2019年，中国科学院半导体所李晋闽牵头的高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化项目，拿下国家科学技术进步一等奖。项目面向产业规模化痛点，攻克LED电光转换效率低、长期可靠性差、行业标准缺失三大瓶颈，打通外延、芯片、封装、终端应用全链条成套工艺，推动建成全球规模领先的LED芯片产线，制定数十项国家/行业/团体标准。成果大范围的应用于北京奥运等国内外重大工程，推动LED照明全面普及，实现年节电约2700亿度，支撑我国半导体照明产业规模跃居全球首位，完成全产业链国产化落地。
2003年，科技部真正开始启动国家半导体照明工程，开启我国半导体照明战略性新兴起的产业的自主攻坚之路。二十余年间，我国坚持“中游切入、应用拉动、全链布局”思路，串联高校、科研院所、有突出贡献的公司组建产学研协同创新体系；以半导体照明工程研发及产业联盟为核心纽带，统筹上下游资源、协调技术标准、打通成果转化通道，持续攻克材料、装备、芯片、封装、应用各环节卡脖子难题。历经多年协同攻关，我国半导体照明产业实现从无到有、由弱变强的跨越式发展：现已建成全球最完整、顶级规模的产业链，通用白光LED、硅基LED、Micro-LED等多项核心技术达到国际领先，产品出口全球，牢牢占据全球照明市场主导地位，成为中国战略性新兴起的产业自主创新标杆赛道。
集齐三大国奖一等奖，代表我国半导体照明创新底座已全面筑牢。但随着LED芯片尺寸的不断缩小，波长向短波和长波拓展，产业未来发展空间广阔。Micro-LED已成为显示领域和短距光通信领域的关键技术；深紫外LED可以大范围的应用于消杀、净水、医疗检测，紫外LED芯片国产化进程持续提速；同时行业持续拓展超越照明场景，覆盖植物光生物、光医疗、可见光通信、车载光电子、高端特种光源等超越照明领域。
从基础理论原创，到核心芯片发明，再到全技术链产业化落地，半导体照明工程依靠持续自主创新集齐国家三大奖一等奖，树立起我国宽禁带半导体产业自立自强的典范。未来行业将持续深化产学研协同，依托完备创新体系抢占新一代光电技术全球竞争制高点。（来源：中关村半导体照明工程研发及产业联盟）返回搜狐，查看更加多
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