京东方华灿光电请求发光二极管及制备办法专利外延结构表面积与衬底面积之比为65～70%

  国家知识产权局信息数据显现，京东方华灿光电（浙江）有限公司请求一项名为“发光二极管及发光二极管制备办法”的专利，揭露号CN121218751A，请求日期为2025年8月。

  专利摘要显现，本揭露供给了一种发光二极管及发光二极管制备办法。所述发光二极管包含：衬底、外延结构、榜首电极结构、反射层和第二电极结构；外延结构坐落衬底上，外延结构被阻隔槽分割成榜首外延结构和第二外延结构，榜首外延结构和第二外延结构的表面积之和与衬底的表面积之比为65～70％，且外延结构均包含顺次层叠的榜首半导体层、有源层和第二半导体层；榜首外延结构具有底部坐落榜首半导体层的榜首凹槽，第二外延结构具有底部坐落榜首半导体层的第二凹槽；第二电极在所述榜首凹槽，第五电极在第二凹槽；反射层掩盖外延结构；第七电极榜首电极和第三电极衔接，第八电极与第二电极、第四电极和第六电极衔接，第九电极与第五电极衔接。

  天眼查资料显现，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，坐落金华市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。经过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外出资了3家企业，参加招投标项目44次，专利信息1033条，此外企业还具有行政许可42个。

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